jueves, 25 de octubre de 2012

Semiconductores

Semiconductores
 
  • ZONA P (+)
En la Zona P existen gran cantidad  de huecos ya que a esta zona le faltan electrones (en una primera aproximación tantos como impurezas aceptadoras, ya que suponemos que a temperatura ambiente todas ellas están ionizadas).
 
 
  • ZONA N (-)
En la Zona N el número de huecos que tendremos serán muy pocos ya que tienen electrones de más.
 
 
 
 
 
 
 

  • POLARIZACIÓN DIRECTA
Cuando aplicamos una tensión directa V a una unión p-n, es decir, una tensión
positiva del lado p y negativa del lado n. En primer lugar, la anchura de la zona de carga disminuye, disminuyendo también la barrera de potencial que aparece en dicha zona. Esta tensión aplicada rompe el equilibrio establecido entre las fuerzas que sobre los portadores ejerce el campo eléctrico y las fuerzas que tienden a producir la difusión de los portadores minoritarios.


 
 
 
 
 

  • POLARIZACIÓN INVERSA
Para polarizar inversamente una unión p-n colocamos una tensión continua con el lado negativo de la misma en la zona p y el lado positivo de la tensión en la zona n. La polaridad aplicada de esta manera es tal que tiende alejar a los h+ de la zona p y a los e- de la zona n de la unión. De esta manera, la zona de cargas fijas negativas se extenderá hacia el interior de la zona p y de forma análoga la zona de cargas positivas tenderá a penetrar en la zona n.

 





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